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功率半导体技术创新实验测试解决方案实验方向功率器件静态参数测试:静态电压电流特性测试, 漏电测试,导通电阻测试,脉冲参数测试,变温条件测试功率器件动态参数测试:电容参数测试,电容参数与电压关系功率器件开关参数测试:开关时间参数测试,开关损耗测试,反向恢复测试,栅极电荷测试,变温条件测试功率器件雪崩、短路参数测试:单次雪崩测试、连续雪崩测试,短路测试实验设备源表,示波器,信号源,LCR表,电源...

用Python自动化双脉冲测试电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带(WBG)半导体,比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能,被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高,SiC技术正被应用于电动汽车动力系统,而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试,但双脉冲测试也可应用于硅器件、MO...

量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试在泰克先进半导体开放实验室,2024年8月份,我们有幸见证了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化镓(GaN)功率器件的动态参数测试。量芯微作为全球首家成功流片并量产1200V氮化镓功率器件的厂商,其最新产品在性能上的显著提升,不仅展现了技术的进步,也为我们的客户带来了新的解决方案。测试概览今年8月,我们收到了量芯微提供的新一代高压氮化镓器件,...

远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而,由于工作电压和长期可靠性的制约,这些器件的潜力并未得到充分发挥,主要在消费电子领域内竞争价格。近期,随着高压氮化镓器件的陆续推出,我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件,并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试,这些测试结果为我们...

【解决方案】如何有效测量碳化硅 (SiC) 功率电子系统中的信号优化驱动性能和空转时间                                                  引言在多年研究和设计之后,碳化硅 (SiC) 功率器件正迅速被各种功率电子应用所采用。从硅转向SiC,正从底层推动着新节能设计的发展。与硅 IGBTs和 MOSFETs 相比,SiC 效率更高,开关速度更快,...

【解决方案】如何使用示波器测量电源的控制环路响应伯德图波德图MOSFET大多数电源和稳压器是为在指定电流范围内保持恒定电压而设计的。为实现这一目标,它们在本质上都是带有闭合反馈环路的放大器。理想的电源必需响应快,保持恒定输出,而又没有过多的振铃或振荡。控制环路测量有助于表征电源怎样对输出负载条件变化作出响应。尽管我们可以使用专用设备进行频响分析,但我们可以使用新型示波器来测量电源控制环路的响...

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