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【解决方案】如何使用示波器测量电源开关损耗 MOSFETs 或 IGBTs【解决方案】如何使用示波器测量电源开关损耗 MOSFETs 或 IGBTs
图 1. 简化的开关式电源开关电路 简介 随着人们需要改善功率效率,延长电池供电的设备的工作时间,分析功率损耗及优化电源效率的能力比以前变得更加关键。效率中一个关键因素是开关器件的损耗。本应用指南将概括介绍这些测量,以及使用示波器和探头进行更好、更可重复的测量的部分技巧。典型开关式电源的效率可能约为87%,也就是13%的输入功率在电源内部耗散了,主要以废热的形式。 在这些损耗中,很大一部分耗散在开关器件扣,通常是MOSFETs或IGBTs。在理想情况下,开关器件象照明开关一样要么“开”、要么“关”,并在这两种状态之间瞬时切换。在“开”的状态下,开关的阻抗是零,开关中没有功率耗散,而不管有多少电流流经开关。在“关”的状态下,开关的阻抗是无穷大,流经的电流是零, 因此也没有功率耗散。 使用示波器测量电源开关损耗
图 2. 把流经开关器件的瞬时电压乘以电流,得到整个开关 周期中的瞬时功率
图 3. A: 开关在示意图上的表现;B:电路怎样看待开关 在实践中,某些功率是在“开”(传导)的状态过程中耗散的,而通常来说,在“开”和“关”(关闭) 转换及在“关”和“开”(打开)转换期间耗散的功率要明显高得多。之所以发生这些不理想的特点,是因为电路中存在着寄生要素。如图3b所示,栅极上的寄生电容会降慢器件的开关速度,延长打开时间和关闭时间。在漏极电流流动时,MOSFET漏极和源极之间的寄生电阻都会耗散功率。 传导损耗 在传导状态下,开关中的电阻和电压确实会有小的下降,开关耗散的功率与流经的电流有关。对MOSFET,这种功率的模型一般为:
- 其中ID是漏极电流 - RDSon是漏极和源极之间的动态开点电阻,通常<1Ω - VDS是漏极和源极之间的饱和电压,通常<1V对IGBT或BJT,这种功率的模型一般为:
- 其中IC是集电极电流 - VCEsat是集电极和发射器之间的饱和电压,通常<1V 打开损耗 在打开过程中,流经开关的电流迅速提高,器件中的电压下降迅速减少。但是,电容要素比如MOSFET中的栅极到漏极电容,会阻止开关瞬时打开。在器件将要打开时,会有明显的电流流经器件,器件中会有明显的电压,会发生明显的功率损耗。对MOSFET,在打开过程中,这种功率的模型一般为:
- 其中ID是漏极电流 - VDS是漏极和源极之间的电压 对IGBT或BJT,在打开过程中,这种功率的模型一般为: P=le*VE - 其中IC是集电极电流 - VCE 是集电极到发射器电压 关闭损耗 同样,在关闭过程中,流经开关的电流迅速下降,器件中的电压下降迅速提高,但电路寄生要素会阻止开关瞬时关闭。在器件将要关闭时,会有明显的电流流经器件,器件中会有明显的电压,会发生明显的功率损耗。其同样适用上面的公式。 测量开关损耗 测量开关损耗有两种方法:可以使用手动设置及内置示波器测量功能测量,某些示波器上还提供了自动测量系统。自动测量的优势是设置简便,提供了简便的可重复的结果。不管采用哪种技术,审慎的探测和优化都将帮助您获得优异的结果。 探测和测量设置 在讨论具体功率测量前,进行准确的、可重复的测量有六个关键步骤:
图4. 选通功能自动测量 MOSFET 开关中的关闭功率损耗 在本例中, 图4画面左下角显示了得到的1000多次关闭功率测量的平均值。工程师手动调节示波器,优化关闭损耗测量的质量。日后,这名工程师或另一名工程师可能会 以略微不同的方式设置测量,得到不同的测量结果。通过功率分析软件自动进行测量,可以消除许多变化来源。
图5. DPOPWR 自动开关损耗测量 测量开关损耗 - 使用功率分析软件自动进行测量 为统一优化设置,改善测量重复能力,可以使用功率测量应用软件。在本例中,DPOPWR高级功率分析 应用软件为开关损耗测量提供了定制自动设置功能,只需按一个按钮,就可以执行全套开关损耗功率和能量测量。 转换速率和开关损耗 正如检测瞬时功率波形预计的及图5中开关损耗测量值所示的那样,关闭损耗是总开关损耗中主要的损耗机制。这么高的损耗的潜在原因是开关驱动电路的性能。如果驱动信号的跳变时间或转换速率低于预期,那么开关在开态和关态之间保持的时间要长于预期,开关损耗将高于预期。
图6.DPOPWR可以显示多个周期上打开过程中 ( 黄色轨迹 ) 和关闭过程中 ( 红色轨迹 ) 电压相对于电流的关系,查看这些特点怎样随时间变化。这条电路的打开和关闭慢且均衡, 因此示图是线性的。转换速率测量一定时间间隔中 ( 通常在边沿上10%点和90%点之间 ) 的电压变化,单位为伏/秒。由于数学导数本身是一个高通滤波器,因此会加重噪声,建议使用平均功能,降低随机噪声对这些测量的影响。通过把一个波形光标放在信号边沿的10%点上,把另 一个光标放在波形边沿的90%点上,可以使用光标手动进行转换速率测量。然后把电压测量值除以光标之间的时间差,计算得出转换速率。这种技术要求用户估算波形上的10%和90%点,计算结果
图 7. 自动测量 MOSFET 栅极转换速率
图 8. DPOPWR 自动开关损耗测量, 显示结果得到明显改善 许多示波器可以使用自动测量改善这一过程。可以使用自动幅度和上升时间测量,确定信号的幅度,设置10%和90% 幅度时的测量门限值,然后测量信号的上升时间。此外,在复杂的信号中,可以使用光标选通功能,把测量重点放在波形的特定部分。然后把幅度乘以80%,除以上升时间指标,计算得出转换速率。但是,功率分析软件可以简便地设置转换速率测量,减少了测量结果中的变化,因为设计工程师会调节电路中的分量值。对MOSFET栅极 (VGS,图7中用通道3上的紫色显示)进行光标选通转换速率测量显示,开关信号要比设计指标慢得多,因为开关器件栅级的电容要高于预期。如图7中的垂直光标之间所示,指数衰落与栅极驱动电路的输出阻抗、开关MOSFET 器件的寄生栅极电容和栅极的电路板电容有关。在驱动信号的速度提高时,通过降低栅极驱动输出阻抗及栅极节点的电容,开关损耗改善了大约30%,如图8所示。开关损耗测量是优化开关式电源效率的关键部分。通过使用优秀的测量技术及自动进行功率测量,可以简便、迅速、可重复地进行一系列复杂的开关损耗测量。
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