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TSP-2000-I-V 分立器件 I-V 特性测试(半导体解决方案)

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发表时间:2019-11-13 09:52作者:零式未来来源:原创

半导体分立器件 I-V 特性测试方案

系统背景

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半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。直流 I-V 测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲线,来决定器件的基本参数。微电子器件种类繁多,引脚数量和待测参数各不相同,除此以外,新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。

分立器件 I-V 特性测试的主要目的是通过实验,帮助工程师提取半导体器件的基本 I-V 特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。

随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级,这些对低噪声源表,探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。

半导体分立器件 I-V 特性测试方案,泰克公司与合作伙伴使用泰克吉时利公司开发的高精度源测量单元(SMU)为核心测试设备,配备使用简便灵活,功能丰富的 CycleStar 测试软件,及精准稳定的探针台,为客户提供了可靠易用的解决方案,极大的提高了用户的工作效率。

方案特点

●丰富的内置元器件库,可以根据测试要求选择所需要的待测件类型

●测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省了大量的时间

●精准稳定的探针台,针座分辨率可高达 0.7um,显微镜放大倍数最高可达 x195 倍

●最高支持同时操作两台吉时利源表,可以完成三端口器件测试

测试功能

●二极管特性的测量与分析

●双极型晶体管 BJT 特性的测量与分析

●MOSFET 场效应晶体管特性的测量与分析

●MOS 器件的参数提取

系统结构

系统主要由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口 MOSFET 器件为例,共需要以下设备:

●两台吉时利 2450 精密源测量单元

●四根三同轴电缆

●夹具或带有三同轴接口的探针台

●三同轴 T 型头

上位机软件与源测量单元(SMU)的连接方式如下图所示,可以使用 LAN/USB/GPIB 中的任何一个接口进行连接。

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系统连接示意图

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典型方案配置

源表
2450/2460/2461/2601B/2602B
探针台
EPS 400/600,4寸或6寸手动探针台



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